硅发电的原理主要是利用半导体材料硅的光电效应即硅吸收光能后发生光电转换的反应为了防止因硅表面过于光亮，反射大量太阳光，在其表面涂抹一层反射系数极小的保护膜，并将多个电池串联或并联一起使用，使其能提供。硅发电原理？更多详情请大家跟着小编一起来看看吧！
硅发电原理(1)
硅发电的原理主要是利用半导体材料硅的光电效应即硅吸收光能后发生光电转换的反应。为了防止因硅表面过于光亮，反射大量太阳光，在其表面涂抹一层反射系数极小的保护膜，并将多个电池串联或并联一起使用，使其能提供足够的电压和电流，提高利用率。
硅发电原理(2)
最早的硅太阳能电池是由于人们对将硅用于点接触整流器产生兴趣而出现的。锋利的金属接触对各种晶体的整流特性早在1874年就被发现。在无线电技术的早期，这种晶体整流器在无线电接收设备中被广泛地用作检波器。但是随着热离子管的发展，这种晶体整流器除在超高频领域仍被使用外，已经被热离子管所代替。这种整流器最典型的例子是钨在硅表面的点接触。这项技术促进了对硅纯度的改良，并且使得人们希望更进一步了解硅的性质。
虽然硅太阳能电池的历史能够追溯到50多年前硅双极性器件出现的时期，但是实验室电池的性能和电池理论在最近十年才取得巨大进步。在过去几年中，太阳能电池的性能已经达到一度认为不可能再提高的水平。
硅太阳能电池和其他大多数硅电子器件相比，有其特殊的设计和材料要求。为了获得高能量转换效率，硅太阳能电池不仅需要几乎理想的硅表面钝化，而且体材料特性也必须具有均匀的高品质。这是因为一些波长的光必须在硅中传播几百微米才能被吸收，其产生的载流子还必须仍然能够被电池收集。
硅发电原理(3)
太阳电池是利用半导体光生伏特效应的半导体器件。当太阳光照射到由p型和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-n结上时，在一定条件下，光能被半导体吸收后，在导带和价带中产生非平衡载流子一一电子和空穴。
它们分别在p区和n区形成浓度梯度，并向p-n结作扩散运动，到达结区边界时受p-n结势垒区存在的强内建电场作用将空穴推向p区电子推向n区，在势垒区的非平衡裁流子亦在内建电场的作用下，各向相反方向运动，离开势垒区，结果使p区电势升高，n区电势降低，p-n结两端形成电动势。
